| 衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 兰伟,董国波,张铭,王波,严辉,王印月.衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 兰伟 董国波 张铭 王波 严辉 王印月 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市属市管高等学校拔尖创新人才选拔计划 |
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| 摘 要： | 使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.
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| 关 键 词： | Cu-Al-O薄膜 衬底温度 透过率 电导率 |
The Effect of Substrate Temperature on the Properties of Cu-Al-O Thin Films Prepared by Sputtering |
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| Lan Wei,Dong Guobo,Zhang Ming,Wang Bo,Yan Hui,Wang Yinyue.The Effect of Substrate Temperature on the Properties of Cu-Al-O Thin Films Prepared by Sputtering[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | Lan Wei Dong Guobo Zhang Ming Wang Bo Yan Hui Wang Yinyue |
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