| 非晶SiOx:C薄膜的发光特性研究 |
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| 引用本文： | 李群,梁坚,黎定国,邓玲娜,吴雪梅,诸葛兰剑.非晶SiOx:C薄膜的发光特性研究[J].功能材料与器件学报,2006,12(3):192-196. |
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| 作者姓名： | 李群 梁坚 黎定国 邓玲娜 吴雪梅 诸葛兰剑 |
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| 作者单位： | 东华理工学院物理系,抚州,344000;苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215006 |
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| 基金项目： | 苏州大学校科研和教改项目
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东华理工学院校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用双离子束溅射法制备了SiOx:C非晶薄膜,在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm(紫光)、470nm(蓝绿光)的光致发光(PL).分别对样品在不同温度下退火后,PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰;470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由与氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致;420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构.
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| 关 键 词： | 非晶SiOx:C薄膜 荧光 光谱 |
| 文章编号： | 1007-4252（2006）03-0192-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-29 |
| 修稿时间： | 2005-07-292005-10-19 |
Luminescence characteristic of amorphous SiOx:C films |
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| LI Qun,LIANG Jian,LI Ding-guo,DENG ling-na,WU Xue-mei,ZHUGE Lan-jian.Luminescence characteristic of amorphous SiOx:C films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2006,12(3):192-196. |
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| Authors: | LI Qun LIANG Jian LI Ding-guo DENG ling-na WU Xue-mei ZHUGE Lan-jian |
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| Affiliation: | 1. Department of Physics, East China Institute of Technology, Fuzhou 344000, China; 2. College of Physics Science and Technology, Suzhou University, Suzhou 215006, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous SiO_x:C film fluorescence spectra |
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