降低漏电流的技术现状与未来展望——解决漏电流问题已刻不容缓 |
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作者姓名: | 大石基之 进藤智则 堀切近史 |
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作者单位: | 《日经电子》 记者(大石基之,堀切近史),《日经电子》 记者(进藤智则) |
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摘 要: | 采用65nm制造LSI时,电流将难以控制地大量泄漏出来,这种警告之声越来越高。问题的是,这些电流并不是LSI工作所需的电流,即使在LSI不工作的情况下,也会出现漏电流。LSI工作频率越高,这种漏电流就越大。随着半导体工艺的微细化发展,漏电流会更大(见图1)。
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关 键 词: | LSI 漏电流 半导体工艺 工作频率 技术现状 微细化 降低 泄漏 |
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