|
|||||
|
|
| 二氧化硅薄膜驻极体的电荷特性 | |
| 引用本文： | 解希顺,温建岳,张灿邦.二氧化硅薄膜驻极体的电荷特性[J].电声技术,1999(12):27-28. |
| 作者姓名： | 解希顺 温建岳 张灿邦 |
| 作者单位： | 1. 东南大学,江苏,南京,210096 2. 晓庄师范学校,江苏,南京,210038 3. 蒙自师范专科学校,物理系,云南,蒙自,661100 |
| 摘 要： | 对二氧化硅薄膜驻极体中几种主要电荷的基本特性－固定氧化物电荷的特性特性、氧化物陷阱电荷的特性及硅－二氧二硅界面陷阱电荷的特性进行了分析。 |
| 关 键 词： | 二氧化硅 驻极体 固定氧化物电荷 氧化物陷阱电荷 界面陷阱电荷 |
| 修稿时间： | 1999－07－20 |
Charge Character of SiO2 Film Electret |
|
| Xie Xi-shun,Wen Jian-Yue,Zhang Can-bang.Charge Character of SiO2 Film Electret[J].Audio Engineering,1999(12):27-28. | |
| Authors: | Xie Xi-shun Wen Jian-Yue Zhang Can-bang |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |