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Si(Au)探测器的快中子辐射损伤
引用本文:邵明珠,罗诗裕,赵彦森. Si(Au)探测器的快中子辐射损伤[J]. 核技术, 1986, 0(9)
作者姓名:邵明珠  罗诗裕  赵彦森
作者单位:重庆交通学院(邵明珠,罗诗裕),中国科学院近代物理研究所(赵彦森)
摘    要:在核实验中,半导体硅探测器常用来对带电粒子和中子进行探测。其能量响应和时间响应特性均十分良好,但是耐辐射性能却较差,尤其在伴有γ和中子本底的环境中,由于辐照引起探测器晶格损伤,导致半导体探测器性能退化,如探测器漏电流增大、能量分辨本领变差、能量亏损增加、时间响应增长等,严重影响探测器的使用和寿命。

关 键 词:中子  辐照  损伤  Si(Au)探测器

Radiation damage in Si (Au)-detectors by fast neutron irradiation
Shao Mingzhu Luo Shiyu. Radiation damage in Si (Au)-detectors by fast neutron irradiation[J]. Nuclear Techniques, 1986, 0(9)
Authors:Shao Mingzhu Luo Shiyu
Abstract:The damage produced in Si(Au)-detectors by -14 MeV fast neutron irradiation has been studied. The I-V and C-V characteristic curves over wide range of irradiation doses have been tested; The damage coefficient and allowable flux of fast neutrons for silicon surface barrier detectors are introduced.
Keywords:neutron irradiation damage Si (Au)-detector
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