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一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器
引用本文:韦保林,戴宇杰,张小兴,吕英杰.一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器[J].电讯技术,2010,50(1).
作者姓名:韦保林  戴宇杰  张小兴  吕英杰
作者单位:1. 南开大学,微电子学研究所,天津,300457;桂林电子科技大学,信息与通信学院,广西,桂林,541004
2. 南开大学,微电子学研究所,天津,300457
摘    要:设计了一种可工作于0.9 V低电压和-5 dBm本振功率的CMOS有源混频器.通过在MOS管栅极和衬底间引入耦合电容,利用衬底效应加快MOS管的导通和截止,使开关对的开关状态更理想,有效地降低混频器的噪声并提高其线性特性.采用0.18 μm CMOS工艺设计,在2.45 GHz本振信号和2.44 GHz射频信号输入下,实验结果表明该混频器可有效地实现混频且具有较好的性能指标:电压转换增益为12.4 dB,输入三阶截断点为-0.6 dBm,输入1dB压缩点为-3.4 dBm,单边带噪声系数为12 dB.

关 键 词:CMOS有源混频器  衬底效应  低电压  低本振功率

A 0.9V Low Voltage Low LO Power CMOS Active Mixer
WEI Bao-lin,DAI Yu-jie,ZHANG Xiao-xing,LV Ying-jie.A 0.9V Low Voltage Low LO Power CMOS Active Mixer[J].Telecommunication Engineering,2010,50(1).
Authors:WEI Bao-lin  DAI Yu-jie  ZHANG Xiao-xing  LV Ying-jie
Abstract:
Keywords:
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