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| 高增益硅超高频功率SIT | |
| 引用本文： | 梁法国,夏曼.高增益硅超高频功率SIT[J].半导体情报,1996,33(4):24-27. |
| 作者姓名： | 梁法国 夏曼 |
| 摘 要： | 采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率，５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐ０为４０Ｗ，漏极效率η０接近６０％，功率增益Ｇｐ，高达１６ｄＢ，Ｐ０＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ，Ｐ０＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。 |
| 关 键 词： | 硅 高增益 SIT 半导体器件 制造工艺 |
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