| 小发散角高功率半导体激光器研究 |
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| 引用本文： | 王晓燕,赵润,沈牧.小发散角高功率半导体激光器研究[J].红外与激光工程,2006,35(3):302-304,335. |
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| 作者姓名： | 王晓燕 赵润 沈牧 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 在量子阱半导体激光器中,量子尺寸引起的衍射效应使半导体激光器的光束质量很差。分别限制结构的垂直结平面发散角在40°左右,使得光束整形系统比较复杂,限制了半导体激光器的直接应用。为解决这一问题,提出了降低垂直结平面发散角的要求。回顾了小发散角半导体激光器的技术发展及应用,对具有小发散角的模式扩展波导结构进行了理论模拟和实验验证,获得了优化的结构。采用MOCVD外延技术生长了外延片,制作了高峰值功率脉冲激光器,获得了快轴发散角小于25,°峰值功率大于80W的半导体激光器,在激光引信应用中获得良好效果。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 发散角 模式扩展 高功率 |
| 文章编号： | 1007-2276（2006）03-0302-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-16 |
| 修稿时间： | 2005-12-162006-02-06 |
High-power semiconductor lasers with small divergence |
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| WANG Xiao-yan,ZHAO Run,SHEN Mu.High-power semiconductor lasers with small divergence[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(3):302-304,335. |
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| Authors: | WANG Xiao-yan ZHAO Run SHEN Mu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor laser Divergent angle Mode expanding High power |
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