fT为102 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 |
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引用本文: | 沈群力,韩婷婷,敦少博,吕元杰,顾国栋,冯志红.fT为102 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管[J].半导体技术,2014,39(6):419-422. |
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作者姓名: | 沈群力 韩婷婷 敦少博 吕元杰 顾国栋 冯志红 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;专用集成电路重点实验室,石家庄050051 |
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摘 要: | 研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8μm。电子束光刻实现T型栅和源漏,保证了器件小的栅长和高的对准精度。制备的器件显示了良好的直流特性和射频特性,在栅偏压为0 V时漏电流密度为995 mA/mm,在栅源电压Vgs为-4.5 V时,最大峰值跨导为225 mS/mm;器件的电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为102和147 GHz。高fT值一方面得益于小栅长,另一方面由于小源漏间距减小了源漏沟道电阻。
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关 键 词: | AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) T形栅 源漏间距 |
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