|
|||||
|
|
| 不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响 | |
| 引用本文： | 王志明,吕振东,封松林,赵谦,李树英,吉秀江,陈宗圭,徐仲英,郑厚植.不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响[J].半导体学报,1997,18(9):714-717. |
| 作者姓名： | 王志明 吕振东 封松林 赵谦 李树英 吉秀江 陈宗圭 徐仲英 郑厚植 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著，并由此导致了发光峰半高宽的不同变化． |
| 关 键 词： | 砷化镓 量子点退火效应 自组织生长 厚度 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |