第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究 |
| |
引用本文: | 覃东欢,刘红梅,陶洪,兰林峰,陈军武,曹镛.第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究[J].材料工程,2008(10). |
| |
作者姓名: | 覃东欢 刘红梅 陶洪 兰林峰 陈军武 曹镛 |
| |
作者单位: | 华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州510641 |
| |
摘 要: | 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴四001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别翻备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET)。对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm^2V^-11s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。
|
关 键 词: | VI族半导体 纳米线 场效应晶体管 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|