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| 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格 | |
| 作者姓名： | 盛篪 周铁城 龚大卫 樊永良 王建宝 张翔九 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理实验室 |
| 摘 要： | 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的． |
| 关 键 词： | 元素半导体 锗 SiGe合金 硅 超晶格 外延生长 |
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