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| 多层Ge量子点的生长及其光学特性 | |
| 作者姓名： | 邓宁 王吉林 黄文韬 陈培毅 李志坚 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084 (邓宁,王吉林,黄文韬,陈培毅),清华大学微电子学研究所 北京100084(李志坚) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 9836 0 2 0 ),教育部985(批准号 :Jz2 0 0 10 10 )资助项目~~ |
| 摘 要： | 用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点.分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响.观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移(87meV) ,Ge量子点的PL谱线的半高宽度(FWHM )为46meV ,说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用 |
| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 多层锗量子点 PL谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)09-0951-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-23 |
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