| WSix复合栅薄膜工艺开发 |
| |
| 引用本文： | 陈海峰,罗平,李红征.WSix复合栅薄膜工艺开发[J].电子与封装,2005,5(3):37-40. |
| |
| 作者姓名： | 陈海峰 罗平 李红征 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035;中国电子科技集团公司第58研究所,江苏,无锡,214035 |
| |
| 摘 要： | 本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述,以大量的实验数据为依据,开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准。
|
| 关 键 词： | WSix "Polycide"复合栅 电阻率 RTP退火 |
| 文章编号： | 1681-1070(2005)03-37-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月15日 |
The Development of WSix Polycide Thin Film Process |
| |
| CHEN Hai-feng,Luo Ping,Li Hong-zheng.The Development of WSix Polycide Thin Film Process[J].Electronics & Packaging,2005,5(3):37-40. |
| |
| Authors: | CHEN Hai-feng Luo Ping Li Hong-zheng |
| |
| Abstract: | It contains the CVD WSix equipment and process, and provides a specification of the WSix Polycide Thin Film Process which fits own FEB depending on a lots of data. |
| |
| Keywords: | WSix |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
