| 溶剂熔区移动法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体的工艺优化研 |
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| 作者姓名： | 凌云鹏 闵嘉华 梁小燕 张继军 杨柳青 温旭亮 张滢 李明 刘兆鑫 王林军 沈悦 |
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| 作者单位： | (上海大学 电子信息材料系, 上海 200444) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11505109, 11675099, 11275122);上海市科委重点项目(11530500200, 15520500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096);上海市教育委员会重点学科基金(S30107) |
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| 摘 要： | 为了解决Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体生长温度高、单晶率低、成分不均匀等问题, 采用溶剂熔区移动法(THM)在优化工艺参数下生长了掺In的CZT晶体, 在优化晶体的生长温度、固液界面处的温度梯度、原位退火过程等生长条件后, 生长出直径为45 mm的低Te夹杂浓度、高电阻率、高透过率、均匀的高质量CZT晶体。 X射线衍射结果显示, 晶体的结晶性较好、Zn成分轴向偏析小。红外透过光谱测试结果显示, 晶体内部的杂质、缺陷水平相对较少, 晶体整体的红外透过率在60%左右。紫外-可见光吸收光谱测试结果也进一步表明, 晶体的均匀性良好。采用红外显微镜对晶体内部的Te夹杂形貌及其尺寸进行观察, 结果表明Te夹杂的尺寸主要分布在0~10 μm之间。采用直流稳态光电导技术测得电子的迁移率寿命积约为8×10-4 cm2/V。
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| 关 键 词： | 溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 直流稳态光电导 |
| 收稿时间： | 2016-11-28 |
| 修稿时间： | 2017-01-08 |
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