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| 一种InSb薄膜型霍尔器件 | |
| 引用本文： | 黄仲平,丁辉敏.一种InSb薄膜型霍尔器件[J].光电子技术,1991,11(3):53-54. |
| 作者姓名： | 黄仲平 丁辉敏 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所，南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、 |
| 关 键 词： | 霍尔器件 薄膜型 InSb |
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