| 基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计 |
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| 引用本文： | 邵天骢,郑琼林,李志君,李虹,刘建强. 基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计[J]. 电工技术学报, 2021, 36(20): 4204-4214. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210260 |
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| 作者姓名： | 邵天骢 郑琼林 李志君 李虹 刘建强 |
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| 作者单位： | 北京交通大学电气工程学院 北京 100044;泰科天润半导体科技(北京)有限公司 北京 100192 |
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| 摘 要： | ![]()
目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法.然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索.该文分析栅源电压干扰产生的过程,进而归纳提炼出一种基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动参数标幺化设计方法.从开关结电容的等效电路出发,推导出功率回路和驱动回路的传递函数,基于驱动和功率双回路传递函数,研究揭示栅源电压的干扰动态响应机理.进而,引入标幺化的参数表达形式,以标准量化驱动参数对于栅源电压干扰传导路径的影响,提出基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计原则.最后,搭建双脉冲实验平台,验证该驱动设计原则的合理性.
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| 关 键 词： | SiC MOSFET 驱动设计 栅源电压干扰 动态响应 |
SiC MOSFET Gate Driver Design Based on Interference Dynamic Response Mechanism |
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| Shao Tiancong,Zheng Trillion Q,Li Zhijun,Li Hong,Liu Jianqiang. SiC MOSFET Gate Driver Design Based on Interference Dynamic Response Mechanism[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2021, 36(20): 4204-4214. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210260 |
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| Authors: | Shao Tiancong Zheng Trillion Q Li Zhijun Li Hong Liu Jianqiang |
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| Abstract: | ![]()
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