| Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析 |
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| 引用本文： | 岳改丽,向付伟,李忠.Cascode GaN高电子迁移率晶体管高频驱动电路及损耗分析[J].电工技术学报,2021,36(20):4194-4203. |
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| 作者姓名： | 岳改丽 向付伟 李忠 |
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| 作者单位： | 西安科技大学电气与控制工程学院 西安 710054 |
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| 摘 要： | 为了减小氮化镓驱动电路高频工作时的损耗,针对共栅共源氮化镓高电子迁移率晶体管(Cascode GaN HEMT)提出一种高频谐振驱动电路,采用储能元件替代传统驱动电路中的耗能元件,电感电流为GaN器件栅极电容充/放电,有源密勒钳位电路抑制桥臂串扰.该文重点研究高频谐振驱动电路的工作模态,对电路损耗进行详细分析,给出电感取值的选取原则,并利用PSIM软件对电路进行仿真.最终搭建实验平台对电路的性能进行测试.结果表明,电感为电容充/放电提供低阻抗通路,能有效减小GaN器件驱动电路的电压振荡,明显降低驱动电路的损耗.仿真和实验同时证明了所提出的电路具有较好的性能.
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| 关 键 词： | Cascode GaN高电子迁移率晶体管 高频谐振 驱动电路 串扰抑制 低损耗 |
High-Frequency Drive Circuit and Its Loss Analysis of Cascode GaN High Electron Mobility Transistor |
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| Yue Gaili,Xiang Fuwei,Li Zhong.High-Frequency Drive Circuit and Its Loss Analysis of Cascode GaN High Electron Mobility Transistor[J].Transactions of China Electrotechnical Society,2021,36(20):4194-4203. |
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| Authors: | Yue Gaili Xiang Fuwei Li Zhong |
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