| 太赫兹探测器读出电路的单电子晶体管制备 |
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| 引用本文： | 刘永涛,李欣幸,张志鹏,方靖岳,秦 华,俞圣雯.太赫兹探测器读出电路的单电子晶体管制备[J].太赫兹科学与电子信息学报,2017,15(1):15-20. |
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| 作者姓名： | 刘永涛 李欣幸 张志鹏 方靖岳 秦 华 俞圣雯 |
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| 作者单位： | 1.School of Material Science and Engineering，Shanghai University，Shanghai 200444，China；2.Key Laboratory of Nanodevices and Applications，Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics，Chinese Academy of Sciences，Suzhou Jiangsu 215123，China,Key Laboratory of Nanodevices and Applications，Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics，Chinese Academy of Sciences，Suzhou Jiangsu 215123，China,Key Laboratory of Nanodevices and Applications，Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics，Chinese Academy of Sciences，Suzhou Jiangsu 215123，China,National University of Defense Technology，Changsha Hunan 410073，China,Key Laboratory of Nanodevices and Applications，Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics，Chinese Academy of Sciences，Suzhou Jiangsu 215123，China and School of Material Science and Engineering，Shanghai University，Shanghai 200444，China |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11403084；61401456；61271157)；中国科学院科研装备研制资助项目(YZ201152)；湖南省自然科学基金资助项目(2016JJ3021) |
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| 摘 要： | 射频单电子晶体管具有高电荷灵敏度和高读出速率的特点，可用于超导太赫兹单光子探测器产生的微弱电荷信号的读出。采用绝缘体上硅(SOI)材料制备的硅基单电子晶体管具有结构可控、工艺可重复的优点。但是，目前单电子晶体管的成品率约为30%，难以满足探测器阵列化的需求。为进一步提高单电子晶体管成品率，首先采用电子束零宽度线曝光工艺精确设定单电子晶体管的图形，其次对感应耦合等离子体刻蚀工艺中的气氛比例进行优化，实现电子束曝光图形的良好转移。最后通过降低氧化温度进一步保持了图形转移的准确度。单电子晶体管的隧穿势垒宽度得到了良好的控制，使成品率提高到90%，增强了单电子晶体管作为阵列化超导太赫兹单光子探测器读出电路的可行性。
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| 关 键 词： | 零宽度线曝光 单电子晶体管 近邻效应 太赫兹单光子探测器 隧穿势垒 |
| 收稿时间： | 2016/9/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/11/1 0:00:00 |
Fabrication of single electron transistors as the readout circuits for terahertz detectors |
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| LIU Yongtao,LI Xinxing,ZHANG Zhipeng,FANG Jingyue,QIN Hua and YU Shengwen.Fabrication of single electron transistors as the readout circuits for terahertz detectors[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2017,15(1):15-20. |
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| Authors: | LIU Yongtao LI Xinxing ZHANG Zhipeng FANG Jingyue QIN Hua and YU Shengwen |
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