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| SiC肖特基势垒二极管 | |
| 作者姓名： | 吕惠民 |
| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系 |
| 摘 要： | 本文简要地介绍了半导体ＳｉＣ材料的特性，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ，ＧａＰ等材料作了比较，同时介绍了ＳｉＣ９肖特基势垒及ＳｉＣ肖特基势垒二极管的伏－安特性。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 伏－安特性 肖特基势垒 二极管 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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