| LaMn1-xVxO3的导电机理研究 |
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| 引用本文： | 孙凤云,马卫兵,丁仁文.LaMn1-xVxO3的导电机理研究[J].压电与声光,2008,30(1):82-83. |
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| 作者姓名： | 孙凤云 马卫兵 丁仁文 |
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| 作者单位： | 天津大学,材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072 |
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| 摘 要： | 通过掺杂钒(V),探讨钙钛矿型导电陶瓷LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)的导电机理。采用传统的固相反应法制备LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)样品,在空气中于1 200℃下烧结2 h。测样品在常温(25℃)至300℃范围内的阻温特性,并利用小极化子导电模型进行验证。结果表明,LaMn1-xVxO3(0.1≤x≤0.4)在25~300℃范围内的导电属于小极化子导电机理。
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| 关 键 词： | LaMn1-xVxO3 阻温特性 小极化子 |
| 文章编号： | 1004-2474（2008）01-0082-02 |
| 收稿时间： | 2006-10-27 |
| 修稿时间： | 2006年10月27 |
A Study of Conducting Mechanism of LaMn1-xVxO3 |
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| SUN Feng-yun,MA Wei-bing,DING Ren-wen.A Study of Conducting Mechanism of LaMn1-xVxO3[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2008,30(1):82-83. |
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| Authors: | SUN Feng-yun MA Wei-bing DING Ren-wen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LaMn1-xVxO3 temperature dependence of the resistivity small-polaron |
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