锗:从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片 |
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引用本文: | 邓志杰.锗:从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片[J].现代材料动态,2007(5):5-7. |
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作者姓名: | 邓志杰 |
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摘 要: | 锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。
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关 键 词: | 生长技术 光电应用 晶体管 无位错 大直径 半导体性质 贝尔实验室 晶片 |
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