首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

锗:从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片
引用本文:邓志杰.锗:从直拉晶体生长技术的首次应用到大直径无位错晶片[J].现代材料动态,2007(5):5-7.
作者姓名:邓志杰
摘    要:锗是工业上第一个重要的半导体。具有良好半导体性质的第一个Ge晶体由Purdue大学研制茁莱并由贝尔实验室于1947年用它制出第一只晶体管。Ge是研究半导体性质的“模板”。贝尔实验室的Teal和Little于1948年首先用直拉技术生长出Ge单晶。近年来,在新型晶体管和光电应用方面,Ge又引起了人们的重视。

关 键 词:生长技术  光电应用  晶体管  无位错  大直径  半导体性质  贝尔实验室  晶片
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号