| 气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用 |
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| 引用本文： | 齐鸣,李爱珍,任尧成,陈建新,张永刚,李存才.气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用[J].功能材料与器件学报,1995,1(2):65-65. |
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| 作者姓名： | 齐鸣 李爱珍 任尧成 陈建新 张永刚 李存才 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。
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| 关 键 词： | 异质结构 双极晶体管 GSMBE 外延 |
In GaP/GaAs STRUCTURES GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY AND APPLIED TO HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS |
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| QI Ming,LI Aizhen,REN Yaocbeng,CHEN Jianxin ,ZHANG Yonggang and LI Cuncai.In GaP/GaAs STRUCTURES GROWN BY GAS SOURCE MOLECULAR BEAM EPITAXY AND APPLIED TO HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS[J].Journal of Functional Materials and Devices,1995,1(2):65-65. |
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| Authors: | QI Ming LI Aizhen REN Yaocbeng CHEN Jianxin ZHANG Yonggang and LI Cuncai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In GaP/GaAs gas source molecular beam epitaxy heterostructure bipolar transistor |
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