| 钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究 |
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| 引用本文： | 曾凡光,刘兴辉,朱长纯,王文卫.钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究[J].功能材料,2005,36(4):604-605,609. |
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| 作者姓名： | 曾凡光 刘兴辉 朱长纯 王文卫 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,真空微电子与微电子机械研究所,陕西,西安,710049;洛阳麦斯克电子材料有限公司,河南,洛阳,471009 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目(60036010)，国家自然科学基金资助项目(60276037)，教育部博士点基金资助项目(20020698014) |
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| 摘 要： | 采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。
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| 关 键 词： | 钴 多孔硅 场发射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)04-0604-02 |
The preparation of Co-passivated porous silicon and its field emission property |
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| ZENG Fan-guang,LIU Xing-hui,ZHU Chang-chun,WANG Wen-wei.The preparation of Co-passivated porous silicon and its field emission property[J].Journal of Functional Materials,2005,36(4):604-605,609. |
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| Authors: | ZENG Fan-guang LIU Xing-hui ZHU Chang-chun WANG Wen-wei |
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| Affiliation: | ZENG Fan-guang~1,LIU Xing-hui~1,ZHU Chang-chun~1,WANG Wen-wei~2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cobalt porous silicon field emission |
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