| ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究 |
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| 引用本文： | 田雪松,刘金成,李连江,王骐.ZnSe基片上制备二氧化钒薄膜及退火改变组分研究[J].红外与激光工程,2006,35(Z2). |
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| 作者姓名： | 田雪松 刘金成 李连江 王骐 |
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| 基金项目： | 国防科技预研跨行业综合技术项目 |
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| 摘 要： | VO2作为相变材料在激光防护领域有着广阔的应用前景,为了提高透过率,采用在红外波段透过率为70%的ZnSe做基片,用磁控溅射法制备了VO2薄膜.对不同条件下制备的VO2薄膜用X射线电子能谱仪(XPS)测试,并通过拟合来得到VO,V2O3,VO2和V2O5在薄膜中所占的比例.为提高4价钒的含量对薄膜进行了退火处理,根据薄膜中的钒氧的比例,采用了充氧加热退火,退火时间4 h,退火温度450℃,退火真空度2.5×10-2Pa,氧气流量6.5 sccm.4价钒含量提高到了接近60%,分析了退火对氧化钒薄膜中4价钒含量的影响.
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| 关 键 词： | 激光防护 二氧化钒 相变 退火 磁控溅射 |
Vanadium dioxide thin films depositing on ZnSe substrate and the component changed after annealing |
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| TIAN Xue-song,LIU Jin-cheng,LI Lian-jiang,WANG Qi.Vanadium dioxide thin films depositing on ZnSe substrate and the component changed after annealing[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(Z2). |
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| Authors: | TIAN Xue-song LIU Jin-cheng LI Lian-jiang WANG Qi |
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