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| 利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究 | |
| 引用本文： | 汪雷,黄靖云.利用UHV／CVD技术在双层多孔硅上外延硅研究[J].材料科学与工程,2000,18(4):88-91. |
| 作者姓名： | 汪雷 黄靖云 |
| 作者单位： | 浙江大学材料系,浙江杭州 |
| 摘 要： | 利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制了ＳＯＩ材料与器件提供了所需的薄硅外延层。 |
| 关 键 词： | 多孔硅 硅外延 超高真空CVD SOI材料 |
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