| 氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 王新昌,叶志镇,何军辉,黄靖云,顾星,卢焕明,赵炳辉.氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜的影响[J].真空科学与技术学报,2003,23(2):129-131. |
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| 作者姓名： | 王新昌 叶志镇 何军辉 黄靖云 顾星 卢焕明 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
2. 浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究规划项目资助 (No 90 10 10 0 9) |
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| 摘 要： | 本文采用脉冲激光沉积 (PLD)法在Si衬底上生长c轴取向LiNbO3 (LN)晶体薄膜 ,研究氧气压强对薄膜质量的影响。结果表明 ,氧压是生长c轴择优取向LN薄膜的一个重要影响参数。X射线衍射和透射电子显微镜分析表明 ,氧压为 30Pa时生长得到了完全c轴取向的LN薄膜 ,LN(0 0 6 )衍射峰的半高宽为 0 2 1°。这是首次报道不施加缓冲层和诱导电场采用PLD技术在硅衬底上生长出了结晶质量良好的完全c轴取向的LN薄膜
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| 关 键 词： | 铌酸锂薄膜 脉冲激光沉积 氧压 |
| 文章编号： | 0253-9748(2003)02-0129-03 |
| 修稿时间： | 2002年9月9日 |
Influence of Oxygen Pressure on Growth of c-Oriented LiNbO3 Films on Silicon by Pulsed Laser Deposition |
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| Wang Xinchang ,Ye Zhizhen ,He Junhui ,Huang Jingyun ,Gu Xing ,Lu Huanming ,Zhao Binhui.Influence of Oxygen Pressure on Growth of c-Oriented LiNbO3 Films on Silicon by Pulsed Laser Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2003,23(2):129-131. |
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| Authors: | Wang Xinchang Ye Zhizhen He Junhui Huang Jingyun Gu Xing Lu Huanming Zhao Binhui |
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| Affiliation: | Wang Xinchang 1,Ye Zhizhen 1,He Junhui 2,Huang Jingyun 1,Gu Xing 1,Lu Huanming 1,Zhao Binhui 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LiNbO 3 film Pulsed laser deposition Oxygen pressure |
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