基于故障物理的MEMS可靠性研究 |
| |
引用本文: | 高杨,刘婷婷,李君儒,何婉婧.基于故障物理的MEMS可靠性研究[J].半导体光电,2014,35(2):214-220,224. |
| |
作者姓名: | 高杨 刘婷婷 李君儒 何婉婧 |
| |
作者单位: | 1.中国工程物理研究院电子工程研究所, 四川 绵阳 621900;2.重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室, 重庆 400044;西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010;西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010;西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621010 |
| |
基金项目: | 中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2012CJMZZ00009); 重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金项目(2013MS04); 西南科技大学制造过程测试技术省部共建教育部重点实验室开放课题(11ZXZK03); 西南科技大学研究生创新基金项目(13ycjj31, 13ycjj36). |
| |
摘 要: | 简要介绍了基于故障物理的MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微电子机械系统)可靠性研究方法和技术路线。以电容式RF MEMS开关为例,介绍了基于故障物理的MEMS可靠性研究方法的主要步骤,包括:采用多物理场3D有限元模型研究MEMS器件的行为,应用MEMS器件的行为模型和失效物理试验技术研究其失效机理,引入优值建立了通用的MEMS器件失效预测模型。
|
关 键 词: | 微电子机械系统 可靠性 故障物理 电容式RF MEMS开关 |
收稿时间: | 2013/8/14 |
Study on MEMS Reliability Based on Physics of Failure |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | MEMS reliability physics of failure capacitive RF MEMS switch |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|