| 近等原子比NiTi合金中微观缺陷和电子密度的正电子湮没研究 |
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| 引用本文： | 胡益丰,邓文.近等原子比NiTi合金中微观缺陷和电子密度的正电子湮没研究[J].稀有金属材料与工程,2013(8):1581-1584. |
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| 作者姓名： | 胡益丰 邓文 |
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| 作者单位： | 江苏理工学院;广西大学 |
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| 基金项目： | the Scientific Research Fund Project of Jiangsu University of Technology(KYY12020);the National Natural Science Foundations of China(50361002);the Foundations of Natural Science of Guangxi(0448006) |
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| 摘 要： | 用正电子寿命谱测量方法研究了5种不同化学成分的近等原子比NiTi合金中的微观缺陷和自由电子密度。结果表明,当Ni原子和Ti原子形成NiTi合金时部分3d电子被局域化而形成共价键,导致合金中参与形成金属键的自由电子减少。近等原子比的NiTi合金中的基体和缺陷处的自由电子浓度均随Ni含量的增加而改变,并且当Ni含量为51 at%时达到最大值。研究还发现Ni51Ti49合金含有最少的缺陷,从而有助于马氏体相变的发生,这可能成为Ni51Ti49合金具有最好的形状记忆效应的一个原因。
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| 关 键 词： | NiTi合金 微观缺陷 电子密度 形状记忆效应 |
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