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| 合成条件及玻璃料添加物对P.T.C陶瓷电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 姚尧 朱家钦 祝炳和 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所，中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所，中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所 |
| 摘 要： | 一、前言至今在国外,P.T.C铁电半导体陶瓷作为各种器件而被广泛地应用着。其成功的关键之一是使其晶粒尺寸下降,和晶粒尺寸均匀可控。晶粒尺寸的下降可以改善P.T.C.陶瓷的电压非线性并提高材料的耐电强度。目前已供实用的P.T.C陶瓷元件,均采用添加适当量的SiO_2-Al_2O_3-TiO_2非晶相形成物质。关于添加SiO_2-Al_2O_3-TiO_2的作用,沈继耀已详细综述:它的添加既促进了BaTiO~3陶瓷的半导化,又能有效地抑制陶瓷的晶粒生长。降低其电压非线性及提高耐电强度。此SiO_2-Al_2O_3-TiO_2添加物首先是由松尾嘉浩等人引入半导体BaTiO_3陶瓷中的。以后,他们在提高P.T.C陶瓷的耐电强度时,概括地总结了提高P.T.C陶瓷耐电强度的方法。除 |
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