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| 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响 | |
| 作者姓名： | 田时开 江天府 杨兴华 曾葆青 |
| 作者单位： | 中国民航飞行学院计算机学院,四川,广汉,618307;电子科技大学物理电子学院,成都,610054 |
| 摘 要： | 采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。 |
| 关 键 词： | 碳纳米管 场发射 化学气相沉积法 老炼 |
| 收稿时间： | 2005-05-13 |
| 修稿时间： | 2005-05-13 |
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