| SiGe合金单晶生长研究 |
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| 引用本文： | 刘锋,毛陆虹,韩焕鹏,王义猛,李丹,何秀坤.SiGe合金单晶生长研究[J].半导体技术,2009,34(4). |
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| 作者姓名： | 刘锋 毛陆虹 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220;天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度.采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、φ为50～60mm的SiGe单晶.可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底.
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| 关 键 词： | 锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度 |
Study on SiGe Single Crystal Growth |
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| Liu Feng,Mao Luhong,Han Huanpeng,Wang Yimeng,Li Dan,He Xiukun.Study on SiGe Single Crystal Growth[J].Semiconductor Technology,2009,34(4). |
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| Authors: | Liu Feng Mao Luhong Han Huanpeng Wang Yimeng Li Dan He Xiukun |
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| Affiliation: | 1.The 46th Research Institute;CETC;Tianjin 300220;China;2.School of Electronic Information Engineering;Tianjin University;Tianjin 300072;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe single crystal Ge mass fraction dislocation density single crystal growing CZ |
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