| 掺Sn改善UMG-Si铸锭中铁对少子寿命的影响作用 |
| |
| 引用本文： | 何秋湘,李京伟,白枭龙,孙继飞,班伯源,刘加威,陈健.掺Sn改善UMG-Si铸锭中铁对少子寿命的影响作用[J].材料导报,2016,30(18):20-25. |
| |
| 作者姓名： | 何秋湘 李京伟 白枭龙 孙继飞 班伯源 刘加威 陈健 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院应用技术研究所,中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室,合肥230088 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51404231;51474201)；安徽省自然科学基金(1508085QE81)；中国博士后科学基金(2014M561846)；中科院“百人计划”项目 |
| |
| 摘 要： | 为削弱有害杂质元素Fe对多晶硅性能的影响,采用Si-Sn微合金化的途径,研究Sn对不同Fe污染程度时提纯多晶硅(UMG-Si)定向凝固后少子寿命的变化。掺入30ppmw或100ppmw Fe杂质后,在Sn元素含量分别为0ppmw、15ppmw、30ppmw、50ppmw时,测试定向凝固多晶硅少子寿命变化。随着Fe含量增加硅锭少子寿命减少,初始杂质Fe含量为0ppmw、30ppmw、100ppmw时,硅锭中部平均少子寿命分别为0.81μs、0.52μs和0.40μs。掺入适量的Sn元素,能有效削弱杂质Fe的危害,提高少子寿命。当初始Fe含量为30ppmw时,掺入Sn为15ppmw、30ppmw后,硅锭中部平均少子寿命提高23%、25%。当Fe含量为100ppmw时,掺入Sn含量为15ppmw、30ppmw、50ppmw后,少子寿命可提高40%、50%、40%。原子半径比Si大的Sn原子引入晶格应力,抑制间隙原子Fe成核、阻碍Fe扩散,有效减少杂质Fe的危害。
|
| 关 键 词： | Sn 杂质Fe 多晶硅 少子寿命 |
Improvement of the Minority Carrier Lifetime of Fe Contaminated UMG-Si Ingot by Sn Doping |
| |
| HE Qiuxiang,LI Jingwei,BAI Xiaolong,SUN Jifei,BAN Boyuan,LIU Jiawei,CHEN Jian.Improvement of the Minority Carrier Lifetime of Fe Contaminated UMG-Si Ingot by Sn Doping[J].Materials Review,2016,30(18):20-25. |
| |
| Authors: | HE Qiuxiang LI Jingwei BAI Xiaolong SUN Jifei BAN Boyuan LIU Jiawei CHEN Jian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Sn Fe impurity multi-crystalline silicon minority carrier lifetime |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料导报》下载全文 |
|
