集电极阻抗转换存贮器

本文推荐一种新的双极存贮单元,它的读/写电流与静态电流之比可达40～200;而常规存贮单元的电流比值仅为0.8～8。 在静态情况下,存贮单元的集电极阻抗是高的,在被选情况下集电极阻抗则转换至很低的数值。所推荐的器件结构采用了“挤出外延层”或“挤出基极层”,这样可以在最小的硅片面积上取得高阻值的集成电阻(或转换阻抗)。 在试验板的实验中,当静态功耗在每位50～200微瓦的范围内,这种存贮单元的存取时间小于4毫微秒,其工作周期小于15毫微秒。 采用所推荐的器件结构中的一种,制成了288位的大规模集成电路,获得了4毫微秒的选取时间和4毫微秒的写入时间。