| 高温氨化合成GaN微晶 |
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| 引用本文： | 刘亦安,薛成山,庄惠照,何建廷,吴玉新,田德恒,孙莉莉,艾玉杰,王福学.高温氨化合成GaN微晶[J].微细加工技术,2006(2):37-40,44. |
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| 作者姓名： | 刘亦安 薛成山 庄惠照 何建廷 吴玉新 田德恒 孙莉莉 艾玉杰 王福学 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,济南,250014 |
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| 摘 要： | 分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。
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| 关 键 词： | 氨化 Ga源温度 合成 GaN晶粒 |
| 文章编号： | 1003-8213(2006)02-0037-04 |
| 修稿时间： | 2005年11月15 |
Synthesis of GaN Microcrystal by Ammoniating under High Temperature |
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| LIU Yi-an,XUE Cheng-shan,ZHUANG Hui-zhao,HE Jian-ting,WU Yu-xin,TIAN De-heng,SUN Li-li,AI Yu-jie,WANG Fu-xue.Synthesis of GaN Microcrystal by Ammoniating under High Temperature[J].Microfabrication Technology,2006(2):37-40,44. |
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| Authors: | LIU Yi-an XUE Cheng-shan ZHUANG Hui-zhao HE Jian-ting WU Yu-xin TIAN De-heng SUN Li-li AI Yu-jie WANG Fu-xue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ammoniating Ga source temperature synthesization GaN particles |
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