| PZT铁电厚膜声纳换能器 |
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| 引用本文： | 夏冬林,刘梅冬,曾亦可.PZT铁电厚膜声纳换能器[J].电子元件与材料,2000,19(5):34-36. |
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| 作者姓名： | 夏冬林 刘梅冬 曾亦可 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划新材料领域基金项目!(863- 71 5- 0 0 2 - 0 1 0 0 )，湖北省科学基金项目!(99J0 4 7) |
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| 摘 要： | 综述了 PZT厚膜单元声纳换能器和 8× 8阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能 ,并介绍了 PZT厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的 sol- gel工艺制备的 ,厚度为 4～ 12 μm。4μm厚的 PZT厚膜的纵向压电系数 d3 3 为 140～ 2 40 p C/ N,剩余极化强度 Pr为 2 8× 10 - 6 C/ cm2 ,矫顽场强 EC为 30× 10 3 V/ cm,相对介电系数 εr为 140 0。
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| 关 键 词： | PZT 铁电厚膜 压电效应 声纳换能器 灵敏度 |
PZT thick-film sonar transducer |
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| XIA Dong-lin,LIU Mei-dong,ZENG Yi-ke.PZT thick-film sonar transducer[J].Electronic Components & Materials,2000,19(5):34-36. |
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| Authors: | XIA Dong-lin LIU Mei-dong ZENG Yi-ke |
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| Abstract: | In Chinese. The fabrication techniques, structure and performance for PZT thick-film sonar t ransducer and 8×8 arrays sonar transducer is presented. The potential applicat i ons and development of PZT sonar transducer are introduced. 4-12 μm PZT thick -fi lms are fabricated using modified sol-gel process. The longitudinal piezoelect ri c coefficient d33 of 140-240 pC/N, remanent polarization pr of 28×10 -6 C /cm2, a coercive field E_c of 30×10 -6 V/cm, and dielectric constant of 1 400 are measured on 4 μm thick film. (7 refs.) |
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| Keywords: | PZT ferroelectric thick-film piezoelectric effect sonar t ransducer sensitivity |
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