| 一种低温度系数高驱动能力的带隙基准电路 |
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| 引用本文： | 朱彤,黄飞,谢淼,赖宗声,张润曦.一种低温度系数高驱动能力的带隙基准电路[J].微电子学,2011,41(4):545-549. |
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| 作者姓名： | 朱彤 黄飞 谢淼 赖宗声 张润曦 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062
2. 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062;华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062 |
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| 摘 要： | 基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源.仿真结果表明,在1.8V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340 μA电流,在-40℃～85℃温度范围内,输出电压为900.24 mV±0.222 mV,温度系数达到5×10-6/℃,在1kHz频率下,电源抑制比约为5...
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| 关 键 词： | 带隙基准源 温度系数 驱动能力 |
A Low Temperature Coefficient Bandgap Reference Source with Strong Driving Capability |
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| ZHU Tong,HUANG Fei,XIE Miao,LAI Zongsheng,ZHANG Runxi.A Low Temperature Coefficient Bandgap Reference Source with Strong Driving Capability[J].Microelectronics,2011,41(4):545-549. |
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| Authors: | ZHU Tong HUANG Fei XIE Miao LAI Zongsheng ZHANG Runxi |
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