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CeO2掺杂对BaTiO3基陶瓷电介质的影响
引用本文:张晨,曲远方,单丹. CeO2掺杂对BaTiO3基陶瓷电介质的影响[J]. 压电与声光, 2007, 29(1): 77-79
作者姓名:张晨  曲远方  单丹
作者单位:天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072
摘    要:研究采用固相法在BaTiO3中掺杂不同含量的CeO2对体系介电性能及微观结构的影响,讨论了不同烧结温度下体系介电性能的变化。研究发现,当组成为Ba(Ce0.08Ti0.92)O3时,试样在1 490℃保温2 h中可获得性能优良的电容器介质材料。体系的相对介电系数可达5 300,介质损耗仅为2.42%,绝缘电阻率为1.39×107Ω.cm,居里温度向室温方向移动至45℃。与此同时,借助扫描电镜对烧结体进行了微观形貌分析。结果表明,CeO2掺杂使Ce4 部分取代Ti4 ,有效地增加了体系的相对介电系数,降低了介质损耗,并起到了良好的居里峰展宽及移峰效应。此外,CeO2掺杂亦可抑制晶粒的异常长大,得到较高致密度的烧结体。

关 键 词:钛酸钡  氧化铈  介电性能  微观形貌
文章编号:1004-2474(2006)07-0077-03
修稿时间:2005-10-31

Effects of CeO2 Dopants on Properties of BaTiO3 Based Capacitor Ceramics
ZHANG Chen,QU Yuan-fang,SHAN Dan. Effects of CeO2 Dopants on Properties of BaTiO3 Based Capacitor Ceramics[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2007, 29(1): 77-79
Authors:ZHANG Chen  QU Yuan-fang  SHAN Dan
Affiliation:Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin 300072, China
Abstract:
Keywords:barium titanate  cerium oxide  dielectric properties  microstructure
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