| GaAs(111)B上MBE同法质外延生长中的表面再构和RHEED分析 |
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| 引用本文： | 杨瑞霞,武一宾,牛晨亮,杨帆.GaAs(111)B上MBE同法质外延生长中的表面再构和RHEED分析[J].半导体学报,2010,31(11):113001-4. |
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| 作者姓名： | 杨瑞霞 武一宾 牛晨亮 杨帆 |
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| 作者单位： | [1]School of lnformation Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China [2]The 13th Electronic Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)技术，在正晶向GaAs(111)B衬底上进行同质外延生长时，利用反射式高能电子衍射(RHEED)绘制出静态和动态生长条件下的表面相图，研究了生长参数对表面再构的影响，并通过衍射图案强度分析确定了适合镜像外延生长的(√19×√19)再构区域。在生长过程中，通过RHEED强度振荡和表面形貌的分析优化了生长参数，成功地生长出无金字塔结构的镜像外延薄膜。
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| 关 键 词： | 反射高能电子衍射 同质外延生长 分子束外延 表面重建 衍射强度 反射光束 振荡条件 砷化镓 |
Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE |
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| Yang Ruixi,Wu Yibin,Niu Chenliang and Yang Fan.Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE[J].Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(11):113001-4. |
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| Authors: | Yang Ruixi Wu Yibin Niu Chenliang and Yang Fan |
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| Affiliation: | School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;The 13th Electronic Research Institute, CETC, Shijiazhuang 050051, China;School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China;School of Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs(111)B RHEED surface reconstruction epilayer |
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