注入二氧化硅的硼/磷杂质分布的一般表达式 |
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引用本文: | Stolm.,A 刘道广.注入二氧化硅的硼/磷杂质分布的一般表达式[J].微电子学,1989,19(4):72-75. |
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作者姓名: | Stolm. A 刘道广 |
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摘 要: | 在能量分别为50~700keV和50~1200keV范围内,把硼离子和磷离子注入SiO_2薄膜中。利用二次离子质谱分析(SIMS)测出浓渡分布,并且采用Leverberg-Marquardt优选法,进行皮尔逊分布近似。导出的范围和离散值与已发表的数据符合得非常好。优选法对于第三矩量和第四矩量给出了很精确的值,确定了注入离子的能量和不同的分布矩量之间的一般关系,同时把这些结果同SUPREM-3工艺模拟程序中所使用的值进行比较。
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关 键 词: | 二氧化硅 离子注入 硼/磷 杂质 分? |
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