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| 优质雪崩光电二极管 | |
| 引用本文： | 本刊摘编.优质雪崩光电二极管[J].激光技术,1981,5(4):17-17. |
| 作者姓名： | 本刊摘编 |
| 摘 要： | 美国麻省理工学院和林肯实验室采用了倒置台面n+-InP/n-GaInAsP/n-InP/P+-InP结构,研制出响应到1.25微米的优质雪崩光电二极管。测量得到均匀雪崩增益为700,当M=10时,暗电流密度为3×10-6安/厘米2,过量噪声因数约为3。 |
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