| Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验 |
| |
| 引用本文： | 李国正,张浩,高勇,刘西钉,刘恩科,张翔九,卢学坤,王迅.Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si近红外探测器的结构设计与试验[J].半导体光电,1995(1). |
| |
| 作者姓名： | 李国正 张浩 高勇 刘西钉 刘恩科 张翔九 卢学坤 王迅 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系，复旦大学物理系 |
| |
| 摘 要： | 设计了一种新结构的Ｇｅ_ｘＳｉ_（１－ｘ）／Ｓｉ近红外探测器，它是在ｐ－Ｓｉ衬底上分子束外延生长２μｍ厚的Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）本征层，再在其表面离子注入形成一薄层ｎ＋层，腐蚀成台面后，构成Ｇｅ_（０．１）Ｓｉ_（０．９）／Ｓｉｐ－ｉ－ｎ型的近红外探测器。试验表明，它具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光电特性。
|
| 关 键 词： | GeSi异质结，红外探测器，PIN光电二极管，分子束外延，离子注入 |
Design and experiment of Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si near infrared detector |
| |
| LI Guozheng,ZHANG Hao,GAO Yong,LIU Xiding,LIU Enke.Design and experiment of Ge_(0.1)Si_(0.9)/Si near infrared detector[J].Semiconductor Optoelectronics,1995(1). |
| |
| Authors: | LI Guozheng ZHANG Hao GAO Yong LIU Xiding LIU Enke |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GeSi Heterojunction Infrared Detector PIN Photodiode MBE Ion Implantation |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
