| 硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 |
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| 引用本文： | 刘波,宋志棠,封松林,Chen Bomy.硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响[J].半导体学报,2006,27(13):158-160. |
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| 作者姓名： | 刘波 宋志棠 封松林 Chen Bomy |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 200050;Silicon Storage Technology Inc, 1171 Sonora Court,Sunnyvale,CA 94086, USA |
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| 摘 要： | 采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜，利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响. 研究发现，由于硅的掺杂，Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温晶相和六方高温晶相，而且出现了菱形六面体的Sb2Te3晶相；掺杂硅后，Ge2Sb2Te5薄膜的电阻有较大变化，晶态电阻的提高有利于降低非晶化相变过程的操作电流，薄膜电阻-温度稳定性的改善可保证有较宽的操作电流波动范围.
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| 关 键 词： | Ge2Sb2Te5 硅离子注入掺杂 方块电阻 |
Effect of Si-Implantation on the Structure and Resistance of Ge2Sb2Te5 |
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| Liu Bo,Song Zhitang,Feng Songlin and Chen Bomy.Effect of Si-Implantation on the Structure and Resistance of Ge2Sb2Te5[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):158-160. |
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| Authors: | Liu Bo Song Zhitang Feng Songlin and Chen Bomy |
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| Keywords: | Ge2Sb2Te5 silicon ion implantation doping sheet resistance |
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