低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究 |
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引用本文: | 李文军,李文漪,赵君芙,吴争鸣,武正簧,赵小林,蔡炳初. 低压MOCVD法制备TiO2薄膜的研究[J]. 微细加工技术, 2000, 0(3): 63-69 |
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作者姓名: | 李文军 李文漪 赵君芙 吴争鸣 武正簧 赵小林 蔡炳初 |
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作者单位: | 1. 上海交通大学信息存储研究中心上海 200030 2. 上海交通大学材料科学与工程学院上海 200030 3. 太原理工大学化学工程与技术学院太原 030024 |
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摘 要: | 以四异丙醇钛为原料,氧气作反应气体,高纯氮气作载气,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2薄膜,研究了基片温度和氧气流量对TiO2薄膜沉积速率的影响,以及基片温度和退火温度对TiO2薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2薄膜的结构进行分析,实验表明:基片温度在110℃~250℃时制备的TiO2薄膜是非晶态的,在350℃~500℃时制备的TiO2薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结
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关 键 词: | MOCVD 二氧化钛 薄膜 |
文章编号: | 1003-8213(2000)03-0063-08 |
修稿时间: | 1999-09-22 |
Study on TiO2 Thin Films Prepared by Low Pressure MOCVD |
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Abstract: | |
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Keywords: | MOCVD |
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