|
|||||
|
|
| 反应烧结制备SiC陶瓷的研究进展 | |
| 引用本文： | 郝斌,陈立君,杨霞. 反应烧结制备SiC陶瓷的研究进展[J]. 陶瓷, 2008, 0(9) |
| 作者姓名： | 郝斌 陈立君 杨霞 |
| 作者单位： | 1. 唐山学院环境与化学工程系,河北,唐山,063000;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 2. 唐山学院环境与化学工程系,河北,唐山,063000 3. 北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
| 摘 要： | 介绍了传统烧结、Hucke工艺和反应烧结碳化硅陶瓷材料的制备工艺,总结了3种烧结机理,讨论了成形工艺、氧化、素坯密度、真空热处理温度等几种因素对反应烧结碳化硅陶瓷组织和力学性能的影响,最后对反应烧结碳化硅存在的问题和今后的发展方向进行了总结和展望. |
| 关 键 词： | 反应烧结 碳化硅 陶瓷 烧结机理 |
Study on Preparation of Reaction- Sintered Silicon Carbude Ceramic |
|
| Hao Bin,Chen Lijun,Yang Xia. Study on Preparation of Reaction- Sintered Silicon Carbude Ceramic[J]. Ceramics, 2008, 0(9) | |
| Authors: | Hao Bin Chen Lijun Yang Xia |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |