|
|||||
|
|
| GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延异质结缺陷的高压透射电镜观察 | |
| 作者姓名： | 陈娓兮 冯孙齐 潘桂明 杜主勋 石忠诚 |
| 作者单位： | 北大物理系(陈娓兮，冯孙齐，潘桂明)，中国科学院半导体研究所(杜主勋)，中国科学院半导体研究所(石忠诚) |
| 摘 要： | 砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为了进一步研究GaAs—Ga_(1-x)Al~xAs DH激光器退化问题,我们采用1000KV透射高压电子显微镜观察了模拟DH激光器液相外延工艺的GaAs/Ga_(1-x)Al_xiAs单异质结样品。在GaAs基片掺Te(3×10~(18)/cm~3)在(100)面上外延生长不掺杂的Ga_(1-x)Al_xAs层,其Al含量X值为小于0.5,外延层厚为6.4μm,外延温度为860℃,降温速率为1℃/min,母液与外延片脱离后约20分钟降至室温。为了确保观察的电镜样品的机械强度,我们采用光刻法在GaAs衬底面上开出直径为800μm的园形窗口,用H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=1∶8∶1 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |