| 背照式EMCCD背端处理技术研究 |
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| 引用本文： | 周福虎,丁继洪,朱小燕.背照式EMCCD背端处理技术研究[J].安徽电子信息职业技术学院学报,2016,15(5):15-17. |
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| 作者姓名： | 周福虎 丁继洪 朱小燕 |
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| 作者单位： | 北方通用电子集团有限公司,安徽蚌埠,233042;北方通用电子集团有限公司,安徽蚌埠,233042;北方通用电子集团有限公司,安徽蚌埠,233042 |
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| 摘 要： | 为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率.采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm,形成了P+/P-型光敏区自建电场,满足BE背端处理的要求.
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| 关 键 词： | 激光退火 自建电场 结深 金属引线完整性 参考芯片 |
Research on Back End Processing Technology of Back Illuminated EMCCD |
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| ZHOU Fu-hu,DING Ji-hong,ZHU Xiao-yan.Research on Back End Processing Technology of Back Illuminated EMCCD[J].Journal of Anhui Vocational College of Electronios & Information Technology,2016,15(5):15-17. |
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| Authors: | ZHOU Fu-hu DING Ji-hong ZHU Xiao-yan |
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