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| 双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型 | |
| 作者姓名： | 金世荣 徐仲英 |
| 作者单位： | 西安交通大学微电子研究室,西安交通大学微电子研究室,中国科学院半导体研究所 陕西 西安710049,陕西 西安710049,北京100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同. |
| 关 键 词： | 共振隧穿 双量子阱 PL TRPL F－P模型 电子 |
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