LPMOCVD法生长InP、GaInAs和GaInAsP

法国汤姆逊—CSF公司的中心研究实验室已经使用低压金属有机化学气相淀积生长长波长光电子器件用高质量InP和有关化合物外延层。LPMOCVD是生长这类外延层的主要工艺。由于技术上的问题,通过液相外延难以获得大面积膜,而材料含有诸如磷之类的易挥发元素时,采用分子束外延淀积也困难。