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NandFlash中高位可配置BCH编码器的研究
引用本文:毛旭富. NandFlash中高位可配置BCH编码器的研究[J]. 信息技术, 2013, 0(2): 87-89,92
作者姓名:毛旭富
作者单位:上海交通大学芯片与系统研究中心
摘    要:为了满足存储器市场对于高存储容量的NandFlash的需求,在NandFlash控制器中ECC纠错模块的数据纠错与加密能力越来越受关注。文中实现了一种支持最大编码长度为8560,纠错能力可达24比特的BCH编码器。该编码器具备参数化配置的能力,可并行编码,并从面积与延时的角度对编码器做了数学优化。可以应用于固体硬盘主控、USB KEY等需要有NandFlash控制模块的芯片中。

关 键 词:闪存  纠错码  BCH  并行  可配置

Research on high bit configurable BCH encoder in NandFlash
MAO Xu-fu. Research on high bit configurable BCH encoder in NandFlash[J]. Information Technology, 2013, 0(2): 87-89,92
Authors:MAO Xu-fu
Affiliation:MAO Xu-fu(Integrated Circuits and System Research Center,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240,China)
Abstract:
Keywords:
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